FQA9N90C-F109 دیتاشیت

FQA9N90C-F109

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQA9N90C-F109
حجم فایل 80.707 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت FQA9N90C-F109

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQA9N90C_F109 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQA9N90C-F109
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 280W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 58nC@720V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 900V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.73nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 18pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,4.5A
  • Package: TO-3P-3

محصولات مشابه